Informe de laboratorio
Presentado por: Cristhian Camilo Ramírez Ramírez Cristian Camilo Acero Cubillos David Eduardo Cuellar Hernández
Presentado a: Ing. Ricardo Sánchez Cavanzo
Escuela colombiana de carreras industriales Tecnología en electrónica industrial Bogotá 04/10/2012
Tabla de contenido 1. Introducción 2. Objetivos del trabajo 3. Materiales y elementos 4. Metodología 5. Marco teórico 6. Desarrollo de la práctica 7. Análisis e interpretación de datos 8. Conclusiones 9. Bibliografía
1) Introducción En el presente trabajo se va a hallar los parámetros híbridos de un transistor BJT (2n2222) con el fin de hallar un modelo que represente al dispositivo en impedancias y así poder hallar unos parámetros de funcionamiento del transistor en temperaturas ambiente y bajo calor lo cual nos permitirá a futuro calcular ganancias de voltaje y corriente y la impedancia del elemento.
2) Objetivos del trabajo
Diseñar un circuito emisor-común con la polarización ideal ayudados con los datos de las curvas de transferencia del transistor BJT
Ser capaces de implementar el circuito dado y obtener datos de medición para encontrar los parámetros del el transistor
Reconocer y analizar los cambios de los datos obtenidos con la medición de las diferentes situaciones de temperatura en que se encuentre el elemento en estudio.
3) Materiales y elementos utilizados para el laboratorio
1 TRANSISTOR 2N 2222
1 RESISTENCIAS DE 0,11K ; 6,91K
ELEMENTOS:
1 OSCILOSCOPIO FLUKE
2 MULTIMETROS
2 FUENTES DE VOLTAJE
1 PROTOBOARD
CONECTORES
1 CAUTÍN
4) Metodología Se empleo una configuración emisor - común con un transistor BJT
la cual
llevamos a la práctica con un transistor 2n2222, una resistencia de 6,9k llamada rb conectada a vbb por un lado y en el otro extremo por la base del transistor por lo tanto otra resistencia de 0,11k la cual llamamos rc se conecta al colector por un punto y a la fuente de vcc por el otro lado, mientras que el emisor articulado a la respectiva tierra del circuito. Se elaboro la medición de corrientes en la base antes de la rb y el colector del transistor antes de la rc mediante dos multímetros dispuestos en la función para medir amperaje; y la medición de voltejes (vbe - vce) se realizo con un osciloscopio fluke, para poder obtener los parámetros híbridos en una medición se vario vbb y se corrigió con vcc para poder mantener vce constante y para el otro caso se vario vcc y corrigió con vbb para poder mantener la ib constante, la medición de estos datos nos ayudo a plasmar y comprender los parámetros hibridos de un transistor BJT en diferentes circunstancias como la variación de voltaje, temperatura
5) Marco teórico Se empleo el circuito emisor – común, para hallar los parámetros hibridos del transistor 2n222, en distintas situaciones de temperatura y poder comprender el cálculo de los parámetros hibridos de dispositivo en acción.
Se llama cuadripolo a una red con dos puertos, considerado como una "caja negra" y caracterizada por una serie de parámetros, relacionados con las impedancias que presenta en cada una de las puertas, esto los parámetros mas mencionados o utilizados en este modelo son las admitancias, impedancias de los puertos, impedancia característica, perdidas de inserción entre otras. Se busca un modelo que represente el dispositivo en impedancias; el transistor bajo unos parámetros especifico (óptimos) debe lograr amplificar una señal que no resulte con distorsión, al objetivo es extraer la mayor energía del sistema de amplificación; en potencia y frecuencia. El modelo hibrido trabaja en parámetros de r y de i, además responde adecuadamente al comportamiento de dispositivos en bajas y medias
frecuencia, se debe utilizar una nomenclatura para los parámetros según la IEEE.
E-C
B-C
C-C
H(1:2)-hi(input)
Hie
Hib
hic
H(1:2)-hr(reverse)
Hre
Hrb
Hrc
H(2:1)-hf(forward)
Hfe
Hfb
Hfc
H(2:2)-ho(output)
Hoe
Hob
Hoc
Para este caso se hallaran los parámetros de un transistor en configuración emisor – común.
6) Desarrollo de la práctica Primero colocamos un amperímetro en serie entre la fuente vbb y la resistencia de base que esta conectada a la base del transistor en seguida con el osciloscopio utilizándolo como voltímetro lo colocamos para medir el vbe y también que mida el vce y después colocando otro amperímetro en serie con vcc y conectado con la rc la cual va sujeta al colector del transistor.
Ya teniendo todo interconectado dejamos la vcc en 12v y la vbb se colocaba en 1,4v luego variamos la vbb levente y luego corregimos con vcc para mantener constante la vce realizamos la medición de los correspondientes de los datos de vce, vbe, ib, ic con el transistor en temperatura ambiente. Realizamos un procedimientos similar pero en este caso variamos vcc y corregimos vbb realizamos la medición de los datos en temperatura ambiente y normal.
