REVISTA CIENTÍFICA DE LA ESCUELA DE POSGRADO, ESPOCH, Vol. 1, No. 1, 2017
“DEPOSICIÓN QUÍMICA DE VAPOR”. José Miguel Mena Chavarrea* Escuela de Posgrado, ESPOCH, Riobamba, Ecuador * Autores para correspondencia:
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RESUMEN Generalmente la deposición química de vapor es una operación cautiva y una parte integral de la fabricación particularmente en la microelectrónica, donde la mayoría de los fabricantes la toman como un negocio internacional, ya que con este proceso en estudio han encontrado como un pilar ante la necesidad que presenta la humanidad, tomando un enfoque general, sistemático, objetivo y dedicada a la solución de problemas de índole diario. Estudiar los procesos, equipos, materiales y aplicaciones de CVD nos ayuda ampliamente en la industria en varios campos como de la óptica, la optoelectrónica, la metalurgia y otros; es por eso que el presente articulo vamos a encontrar una descripción y revisión amplia de los equipos, los sistemas utilizados en la investigación, producción sobre la deposición química de vapor; incluyendo los subprocesos avanzados como plasma, láser, y CVD de fotones. Revisaremos los materiales depositados por CVD, es decir, metales, elementos no metálicos, cerámicas, semiconductores, y las reacciones utilizadas en su deposición; identificando y describiendo las aplicaciones actuales y potenciales en todo tipo de industrias, pero tomando como referencia a las áreas automotriz, aeroespacial, materiales resistentes al desgaste y a la corrosión y en otras industrias. Dos áreas principales de aplicación de la deposición química de vapor se han desarrollado rápidamente son la industria de los semiconductores y la metalúrgica de recubrimiento, que incluye la fabricación de herramientas de corte. El CVD es particularmente importante en la producción de nano materiales usados para recubrimientos industriales y en componentes relacionados con la electrónica. Los procesos de Micro y Nano Fabricación utilizan ampliamente la tecnología CVD para depositar materiales tales como: micro y nano fibras de carbono, nanotubos de carbono, grafeno, carburo de silicio, etc. Esta tecnología es usada también para fabricar diamante sintético. Por lo tanto determinaremos la forma de aplicar cada uno de los métodos de activación que poseen una gran influencia en el tipo de producto formado y el depósito que se obtienen con el método de activación. Palabras claves: CVD, deposición, metalurgia, nanotecnología, recubrimientos.
ABSTRACT Generally chemical vapor deposition is a captive operation and an integral part of manufacturing particularly in microelectronics, where most manufacturers take it as an international business, because with this process under study have found as a pillar in the face of the need Which presents humanity, taking a general approach, systematic, objective and dedicated to the solution of problems of a daily nature. Studying the processes, equipment, materials and applications of CVD helps us widely in the industry in various fields such as optics, optoelectronics, metallurgy and others; This is why the present article we will find a comprehensive description and review of the equipment, systems used in research, production on chemical vapor deposition; Including advanced subprocesses such as plasma, laser, and photon CVD. We will review materials deposited by CVD, ie, metals, nonmetals, ceramics, semiconductors, and the reactions used in their deposition; Identifying and describing current and potential applications in all
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REVISTA CIENTÍFICA DE LA ESCUELA DE POSGRADO, ESPOCH, Vol. 1, No. 1, 2017 types of industries, but taking as reference the automotive, aerospace, wear resistant and corrosion resistant areas and other industries. Two main areas of application of chemical vapor deposition have been rapidly developed are the semiconductor industry and metallurgical coating, which includes the manufacture of cutting tools. CVD is particularly important in the production of nano materials used for industrial coatings and in components related to electronics. The Micro and Nano Manufacturing processes widely use CVD technology to deposit materials such as: micro and nano carbon fibers, carbon nanotubes, graphene, silicon carbide, etc. This technology is also used to make synthetic diamond. Therefore we will determine how to apply each of the activation methods that have a great influence on the type of product formed and the deposit that are obtained with the activation method. Keywords: CVD, deposition, metallurgy, nanotechnology, coatings.
1.
INTRODUCCIÓN
La técnica CVD su primera utilización práctica fue en la década de los 80 en la producción de lámparas incandescentes para mejorar la resistencia de los filamentos recubriéndolos con carbono o metal. En la misma década, Ludwig Mond desarrollo el proceso de carbonilo para la elaboración de níquel puro. La técnica CVD se desarrolló lentamente limitándose a la extracción y pirometalurgia para la producción de metales refractarios de alta pureza tales como el tantalio, el titanio y el circonio. Al final de la Segunda Guerra Mundial, la técnica CVD se expandió ya que los investigadores se dieron cuenta de sus ventajas para la producción de recubrimientos. Otros hechos importantes en el desarrollo de la técnica CVD son:
1960: Introducción de los términos CVD y PVD para distinguir entre deposición química de vapores y deposición física de vapores, respectivamente. 1960: Introducción a la fabricación de materiales semiconductores mediante la técnica CVD. 1960: Uso de la técnica CVD para conseguir un recubrimiento de TiC usado en herramientas de corte y desarrollo de tugsteno con la técnica CVD. 1963: Introducción de deposición química de vapores asistida por plasma en el campo de la electrónica. 1968: Inicio de la utilización industrial de carburos cementados recubiertos mediante la técnica CVD.
1980s: Introducción de recubrimientos de diamante usando la técnica CVD. 1990s: Rápida expansión del método MOCVD para la deposición de materiales cerámicos y metales. 1990s: Mayor desarrollo de la técnica CVD en el campo de la óptica y optoelectrónica. (BERLANGA DE LA MATA, Borja, 2012).
El proceso de deposición química en fase de vapor (CVD) es considerado muy versátil para la fabricación de recubrimientos, polvos, fibras, y componentes monolíticos, siendo aprovechada para producir una gran cantidad de capas para diferentes tipos de materiales conductores, semiconductores y aislantes, a la vez, se convierte en una de las técnicas de deposición de capas y películas delgadas de amorfos, monocristales y policristales para un amplio rango de aplicaciones. Frente a otros métodos de deposición, el en mención tiene el poder de controlar con relativa facilidad la composición del material depositado, permitiendo de manera efectiva la preparación de materiales compuestos. El CVD se podría definir como un proceso mediante el cual se deposita un sólido, como producto de las reacciones químicas entre los reactivos en estado gaseoso sobre una superficie que se encuentra a una elevada temperatura. Este tipo de reacciones pueden activarse por diferentes vías (calor, luz, plasma etc), lo que conlleva a la formación de un producto sólido estable. Las reacciones que tienen lugar pueden ser de carácter homogéneo, en fase gaseosa, y/o heterogéneo, si se producen cerca de la superficie caliente, conduciendo la formación
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REVISTA CIENTÍFICA DE LA ESCUELA DE POSGRADO, ESPOCH, Vol. 1, No. 1, 2017 de polvos o películas respectivamente. (OSORIO, Francisco, 2007). La deposición química de vapor es la descomposición catalítica de compuestos de carbono arrastrados por un flujo continuo de gas que atraviesa un horno a presión atmosférica. El flujo, vertical u horizontal, arrastra el compuesto carbonado y un gas inerte sobre una superficie catalizadora a una temperatura de 500 – 1200 ºC. Un enfriamiento posterior hasta temperatura ambiente provoca la deposición de los átomos de carbono, obtenidos por descomposición térmica, sobre las partículas metálicas, que actúan como sitios de nucleación. (CASTAÑOS, Enrique, 2016). En la sección 2, se presenta la forma de producir y de que elementos consta el proceso de deposición química en fase de vapor, además de la clasificación y las técnicas de CVD de acuerdo al método empleado para su activación. En la sección 3, se encuentra las aplicaciones más destacadas en las cuales son utilizadas el proceso de CVD, cada una específica su utilización y la gran ayuda especificada que nos brinda cuando se los utiliza para desarrollar materiales para el uso en la industria.
2.
MÉTODOS Y MATERIALES
Para producir productos de alta pureza y de alto rendimiento de materiales sólidos, el proceso químico ideal es el Deposición Química de Vapor. Dos áreas de aplicación de la técnica CVD se han desarrollado en la industria de los semiconductores y en la industria de los recubrimientos metalúrgicos.
En todos los sistemas de CVD se pueden diferenciar de manera general, por tres componentes principales: Sistema de gaseosos.
suministro
de
precursores
El sistema de suministro de precursores desempeña la función de abastecer las sustancias en fase gaseosa que contienen los elementos que se van a depositar sobre el sustrato. Los compuestos más usados son los hidruros, haluros de metales y compuestos organometálicos. Estos compuestos son usados en los procesos de deposición de materiales semiconductores. Sin embargo, es importante tener en cuenta que muchos de estos compuestos son líquidos volátiles, y requieren de un control cuidadoso de la presión de deposición. Los precursores que son utilizados deben cumplir ciertos requerimientos:
Deben ser estables a temperatura ambiente. Tener una baja temperatura de evaporación. Una alta presión de vapor, adecuada a la velocidad de deposición. La reacción química de deposición debe producirse a temperaturas inferiores a la temperatura de fusión y transformación del sustrato. No deben ser ni inflamables, ni explosivos, ni tóxicos. Deben tener bajo costo y estar disponibles en una alta pureza.
Reactor de CVD.
Figura 1. Proceso de deposición química fase de vapor 2.1.
Instrumentos utilizados en un sistema de CVD
La función principal es permitir el calentamiento del sustrato a la temperatura de deposición. Estos pueden ser de pared fría o pared caliente. En los primeros, el calentamiento se realiza directamente bien sea mediante un horno alojado dentro del reactor, o por medio de un sistema de inducción. La primacía de estos sistemas es que permiten que la reacción de deposición tenga lugar preferentemente sobre el sustrato, con un consumo menor de energía y de reactantes, con lo que se consigue mayor control en la cinética de la deposición. (PIERSON, Hugh, 2012)
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2.3. Figura 2. Diagrama esquemático de un reactor de laboratorio de CVD. Sistema de tratamiento subproductos residuales.
de
gases
y
Consiste en un dispositivo para la neutralización de los gases de salida o un sistema de vacío para obtener el vacío requerido para los procesos de CVD que requieren baja presión o ultra alto vacío. La principal función del sistema de tratamiento de gases residuales es eliminar los subproductos tóxicos y peligrosos que se generen en la cámara de reacción 2.2.
Técnicas desarrolladas
Cementación en paquete: El método más antiguo utilizado para palas. En una mezcla de polvo, la superficie de la pieza está enriquecida con aluminio bajo la formación de una capa superficial aluminizada. Fuera de paquete (fase de vapor): En este proceso, desarrollado posteriormente, la mezcla de polvo y la pieza están separados. Esto creó la posibilidad de recubrir conductos de refrigeración internos. CVD real: Sistema de baja presión desarrollado para el recubrimiento óptimo de conductos internos. En este sistema, los compuestos de aluminio activo se producen fuera del horno de recubrimiento y este se realiza a presión baja.
Con el proceso CVD real se pueden producir dos recubrimientos de aluminuro distintos: de alta y baja actividad.
En el caso del recubrimiento de alta actividad con más del 50 at% de aluminio (Al) (=29 porcentaje en peso), el
recubrimiento se forma por la difusión interna del aluminio. En el caso del recubrimiento de baja actividad con menos del 50 at% de aluminio (Al) (=29 porcentaje en peso), el recubrimiento se forma por la difusión externa del níquel. (SULZER, 2014). Clasificación de las técnicas de CVD de acuerdo al método empleado para su activación
Cada uno de estos métodos de activación presenta unas características, las cuales tienen una gran influencia en el tipo de producto formado y que son diferentes cuando el depósito es obtenido por uno u otro método de activación. Así, de acuerdo al modo en que se obtiene la activación, se pueden distinguir las siguientes técnicas de CVD.
2.4.
Activación térmica: Radica en efectuar un calentamiento directo de los reactivos, este calentamiento en mención puede ser llevado a cabo mediante una resistencia externa, o por inducción de radiofrecuencia, o por radiación de infrarrojo. Activación por plasma: La activación se obtiene mediante una descarga eléctrica o plasma producido por dos electrodos o una bobina colocada en la zona de reacción. Activación por fotones: La excitación se produce mediante la excitación de las moléculas reactivas por la iluminación con fotones de alta energía (luz ultravioleta) o de intensidad elevada (radiación láser). Cinética del proceso de CVD
En los procesos de CVD tienen lugar una secuencia de eventos que se pueden resumir de la siguiente forma:
Los reactivos gaseosos son introducidos dentro del reactor mediante un flujo forzado. Los gases difunden a través de la capa límite. Los gases entran en contacto con la superficie del sustrato. Las reacciones de deposición tienen lugar sobre la superficie del sustrato.
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Los subproductos de la reacción difunden desde la superficie, hacia el exterior a través de la capa límite. (OSORIO, Francisco, 2007)
industria, tales como la industria electrónica, la industria óptica, la industria de la herramienta, y la industria química. Las aplicaciones de la técnica también se pueden clasificar por la forma de los productos obtenidos como recubrimientos, polvos, fibras y composites.
Tabla 1. Aplicaciones que se obtuvieron con el proceso deposición química en fase de vapor. Aplicaciones
Resistencia al desgaste
2.5.
Mecánicas
Figura 3. Diagrama esquemático de los procesos que ocurren durante la deposición por CVD Tipos de CVD
3.
RESULTADOS
Las aplicaciones de la CVD se pueden clasificar según:
Las características funcionales de los productos obtenidos: aplicaciones eléctricas, opto-eléctricas, ópticas, mecánicas y químicas. Esta clasificación corresponde a los diversos campos de la
Ópticas
Sistemas cerrados: En el presente sistema tanto los reactivos como los productos, pueden ser reciclados. Este proceso normalmente se usa cuando las reacciones químicas son reversibles y el desplazamiento en uno otro sentido en el equilibrio depende de la temperatura o donde existe diferencias en la actividad química en un sistema isotérmico como en el proceso de aluminizado. Sistemas abiertos: En estos dispositivos los reactivos son introducidos de forma continua manteniendo el flujo de gases a través del reactor, después de la deposición los reactivos químicos residuales son eliminados del reactor o en algunos casos pueden ser recuperados, dependiendo del costo de dicho proceso. (OSORIO, Francisco, 2007).
Electrónicas
Eléctricas y magnéticas
El CVD puede ser realizado en dos tipos de sistemas básicos:
Otras
Baja fricción Protección contra la corrosión Barrera térmica Ferro y piezo eléctricos Ferromagné ticos Absorción selectiva Antirreflexi ón Guías de onda y fibra óptica Semiconduc tores Aislantes Conductores Sensores
Materiales típicos C (diamante y cuasidiamante) Nitruros, carburos de B, Si y de metales (Al, Ti, Mo...) Óxidos metálicos (Al, Zr, Be) MoS2, BN, Si3N4, SiO2, C (cuasi diamante) Óxidos metálicos (Cr, Al, Zr, Mg...) MgAl2O4 ZrO2 (estabilizado, Mg o Ca) BaTiO3, PbTiO3, LiNbO3
óxidos de Fe y Cr BaF2/ZnS, CeO2, CdS, SnO2 Nitruro de Si y óxidos de Si, Al y Ta SiO2
Grupo IV (Si, Ge), compuestos del grupo III y V (GaAs, GaP) Óxidos y nitruros de silicio Metales (Al,Cu, Au, W) y siliciuros SiO2, SnO2, ZrO2
3.1. Aplicaciones Electrónicas La técnica de CVD es un proceso significativo en la producción de películas delgadas que recubren los tres tipos de materiales electrónicos: semiconductores, conductores y aislantes. Los materiales semiconductores que se dan en mayor cantidad en producción o en desarrollo son silicio, germanio, carburo de silicio y diamante.
Silicio: Se obtiene fácilmente con un alto grado de pureza y a un relativo bajo coste. La técnica CVD es utilizada para la
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producción de silicio en dos áreas 1) la producción de silicio ultra-puro y 2) en la preparación de películas pitaxiales y policristalinas. Germanio: Fue el material semiconductor usado en los primeros experimentos y producción, tenemos: 1) transistores con una velocidad de más de 60 GHz y 2) conversión fotovoltaica y fotodetectores. Carburo de silicio: se puede demostrar en dos estructuras cristalinas diferentes: en forma de cubo, llamada βSiC, y en forma hexagonal conocida como αSiC. La primera tiene propiedades que prometen importantes mejoras sobre los materiales semiconductores. Ya que poseen una resistencia intrínseca a la radiación, alta conductividad térmica en dispositivos de alta potencia y su velocidad de saturación es alta que permite operar a frecuencias altas. Diamante: el único cristal puro y es uno de los mejores aislantes eléctricos, es obtenido mediante la deposición química de vapores, en fase experimental. Por lo que la presencia de impurezas puede alterar drásticamente su estado electrónico, pero con un dopaje adecuado este se puede convertir en un material semiconductor notable y son usados como transistores de alta frecuencia, alta potencia y cátodos fríos, o en el duro ambiente que se da en la combustión interna y en los motores a reacción.
3.2. Aplicaciones Ópticas Existe una serie de materiales ópticos que son obtenidos por CVD realizados en procesos o experimentalmente:
SnO2: para el control de la emisividad. Multicapas de óxidos con alto índice de refracción: (TiO2, ZrO2, HfO2, ThO2). Bajo índice de refracción (SiO2) para recubrimientos antirreflectantes y cuya función es reducir la reflexión de la superficie de los elementos ópticos e incrementar la cantidad de luz transmitida, Los recubrimientos antirreflectantes se utilizan en numerosas aplicaciones que incluyen rayos láser, lentes para cámaras y prismáticos, paneles de instrumentos, microscopios, telescopios, etc.
SiO: para filtros. Nitruros de Ti, Zr, Hf: para selectividad óptica. Películas finas de molibdeno: para la reflexión de los rayos infrarrojos.
3.3. Aplicaciones de resistencia al desgaste y corrosión La deposición química de vapores es nueva para al área de protección contra la corrosión pero está existen rápidos progresos y puede convertirse en un serio competidor de PVD y otros procesos de recubrimiento. 3.4. Aluminuros modificados Para mejorar sus propiedades, los recubrimientos de difusión de aluminuros se modifican con otros elementos. En recubrimientos de platino (Pt) modificado, el Pt se aplica primero por galvanotecnia seguido de un tratamiento y un recubrimiento de difusión. Esto genera una superficie exterior rica en PtAl que es mucho más estable térmicamente y que aporta mejores propiedades de corrosión y oxidación. Hay dos tipos distintos de recubrimientos de PT modificado: Un recubrimiento PtAl de una fase presenta
una capa exterior con solo una fase PtAl. El contenido de Al es bajo (22 - 25%) y se genera con un proceso de difusión de aluminio de actividad baja (fase principalmente de vapor). Este tipo ofrece una resistencia a la oxidación mejorada a temperaturas elevadas y es idóneo como capa de adherencia para recubrimientos de barrera térmica EB-PVD. El recubrimiento PtAl de dos fases presenta una capa exterior de mezcla de PtAl/NiAl con un contenido mayor de Al. El recubrimiento se genera principalmente con un proceso de difusión de Al de actividad alta o media. Este tipo presenta mayor resistencia a la corrosión caliente. Otros recubrimientos: Los recubrimientos de níquel-paladio (NiPd)
modificado se generan por galvanotecnia con NiPd, seguidos por un tratamiento de difusión y un recubrimiento de difusión de aluminio. La adición de níquel hace que este
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REVISTA CIENTÍFICA DE LA ESCUELA DE POSGRADO, ESPOCH, Vol. 1, No. 1, 2017 recubrimiento dependa menos del material base. Se puede aplicar primero Silicio (Si) mediante un proceso de difusión, o se puede codepositar con un proceso de difusión o de fango. Este tipo de recubrimiento presenta mayor resistencia a la corrosión caliente. Se puede aplicar cromo (Cr) mediante un proceso CVD separado seguido por un recubrimiento de difusión de aluminio. Este recubrimiento mezclado presenta una mayor resistencia a la corrosión. (SULZER, 2014).
4.
DISCUSIÓN
Una velocidad de deposición baja posee está una aventajada función por el crecimiento epitaxial de películas delgadas para aplicaciones en microelectrónica. Sin embargo, para la deposición de capas protectoras, se prefiere una alta velocidad de deposición y puede alcanzarse hasta 10 μm por hora. El CVD sólo es superado en este aspecto por la proyección térmica por plasma. La flexibilidad y uso de un amplio rango de precursores químicos tales como haluros, hidruros, organometálicos, los cuales posibilitan la deposición de un amplio espectro de materiales que incluyen, metales, carburos, nitruros, óxidos y sulfuros entre otros. Relativamente las bajas temperaturas de deposición, y de las especies pueden ser depositadas in situ, a bajas energías a través de reacciones en fase vapor y procesos de nucleación y crecimiento sobre la superficie del sustrato. Este hecho, posibilita la deposición de materiales refractarios tales como carburo de Silicio. Pero siempre vamos a tener dificultad en los precursores utilizados ya que suelen ser, tóxicos, corrosivos, inflamables, y/o explosivos. Pero han sido minimizados usando variantes en el CVD tales como el spray electroestático asistido por deposición de vapor (ESAVD) o métodos que emplean precursores menos contaminantes. Existe también la dificultad para depositar materiales multicomponentes con una estequiometría bien controlada usando precursores multifuente, porque estos tienen diferentes velocidades de evaporación. Sin embargo, esta limitación puede ser superada
utilizando una sola fuente de precursores químicos. Al usar reactores y/o sistemas de vacío más sofisticados, para variantes del proceso de CVD, tal como ocurre en el CVD a baja presión y en el CVD de ultra alto vacío, o en los procesos de CVD asistido por plasma o el CVD asistido por foto-emisión. Por lo que, dada la complejidad de estos sistemas, se elevan los costos del proceso, pero existen otras variantes del proceso de CVD que pueden ser una buena alternativa para la aplicación de recubrimientos con costos de producción más bajos que los producidos con los sistemas anteriores por ejemplo, el caso del “Aerosol Assisted Chemical Vapor Deposition (AACVD)” y “Flame Assisted Chemical Vapor Deposition (FACVD)”, son procesos que no usan reactores y/o sistemas de vacío tan complejos y por lo tanto permiten obtener recubrimientos a un menor costo.
5.
CONCLUSIONES
Consideramos al proceso CVD como un sistema complejo que en un futuro nos ofrecerá grandes funcionalidades para producir materiales altamente densos y puros, a la vez, películas uniformes con buena reproducibilidad y adhesión; para lograr el objetivo se necesita estudiar los parámetros del proceso, controlar la estructura cristalina, la morfología de la superficie, la orientación de los productos del CVD y la velocidad de deposición. Mediante el estudio realizado conocimos sobre la forma de realización de procesos u ensayos mediante la técnica de deposición química de vapores en aplicaciones de procesos y de forma experimental, con esto podemos efectuar un correcto proceso para determinar y fabricar el elemento que necesito en la industria para obtener crecimiento sustanciales en cada uno de los compuestos tales como grafeno. Por tanto, los resultados obtenidos en cada uno de las experimentaciones analizadas constituyen un aporte importante al desarrollo de tratamientos superficiales para un tipo de materiales en específicos por ejemplo los aceros ferríticos con miras a lograr un incremento de las temperaturas de operación y así, aumentar la eficiencia de las mismas y disminuir de esta forma las emisiones de contaminantes gaseosos tales como el CO2, NOx, SO2, etc.
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A partir de los resultados del estudio realizado sobre la obtención de recubrimientos de Al, AlHf, Al-Si y Si, mediante CVD y con el propósito de incrementar la resistencia a la oxidación en condiciones de vapor, se pueden extraer que mediante el estudio de la termodinámica de deposición de los recubrimientos de Al, Al-Hf y Al-Si, se acordó que el precursor que tenían una mayor incidencia en la formación de las capas de Al era el AlCl.
SULZER. (11 de 09 de 2014). https://www.sulzer.com. Recuperado el 30 de 05 de 2017, de https://www.sulzer.com/es/Products-andServices/Turbomachinery-Services/RepairServices/Coatings/Selective-Chemical-VaporDeposition-SE-CVD
Todavía, a pesar de este progreso, quedan muchos retos por hacer frente, como por ejemplo la predicción exacta de un compuesto obtenido con la técnica CVD, así como su estructura y propiedades. De hecho, aunque se han conseguido muchos avances en el entendimiento de la teoría y mecánica de funcionamiento de CVD, este proceso se sigue considerando como una ciencia y el progreso sigue dependiendo en gran parte de desarrollos experimentales. BIBLIOGRAFÍA BERLANGA DE LA MATA, Borja. (05 de 2012). USO DE LA TECNOLOGÍA CVD (CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) EN LA OBTENCIÓN DE NANOESTRUCTURAS DE COMPUESTOS DE CARBONO. Recuperado el 27 de 05 de 2017, de https://www.iit.comillas.edu/pfc/resumenes/4fc 683d39589e.pdf CASTAÑOS, Enrique. (18 de 01 de 2016). LIDIA CON LA QUÍMICA. (WORDPRESS.COM, Editor) Recuperado el 31 de 05 de 2017, de LIDIA CON LA QUÍMICA: https://lidiaconlaquimica.wordpress.com/tag/de posicion-quimica-de-vapor-cvd/ OSORIO, Francisco. (2007). EVALUACIÓN DEL COMPORTAMIENTO A ELEVADAS TEMPERATURAS DE RECUBRIMIENTOS DE AL, Si Y DE A1 MODIFICADO CON Si Y Hf DEPOSITADOS MEDIANTE CVD-FBR SOBRE ACEROS FERRÍTICOMARTENSÍTICOS (9-12% Cr). (M. P. Francisco Javier Pérez Trujillo, Ed.) doi:ISBN: 978-84-669-3115-1 PIERSON, Hugh. (02 de 12 de 2012). Handbook of chemical vapor deposition (CVD). doi:ISBN: 0-8155-1300-3
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