Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) está unido al
terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensión en el dispositivo se denomina , y la corriente a través de él se denomina , demostrar que:
,
para (
,
para
Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del
transistor JFET está estrangulado. R
Se desea utilizar un transistor JFET de canal n como una resistencia controlada por tensión cuya característica de transferencia sea prácticamente lineal, para lo cual se aplica al dispositivo una tensión V DS pequeña. Demostrar que el valor de la resistencia variable del dispositivo rDS es:
Hallar el rango de valores de r DS que se obtienen variando V GS desde 0 hasta 0.9Vp, 2 suponiendo que Vp=-4V e K=1mA/V .
En el circuito de la figura, hallar el valor de R D, RS, RG1 y RG2 de forma que el valor de la corriente de drenador sea I D=IDSS /2 y que la tensión en RD, RS y entre los terminales drenador (D) y fuente (S) del dispositivo, sea la misma. Suponer que I DSS=8mA, Vp=-2V y que la corriente a través del divisor de tensión es de 1A. V DD = 15V
R G1
RD
R G2
RS
En el circuito de la figura, hallar el valor de R D, R1 y R2, de forma que VDS=6V, VA=1V, RA=R1 // R2 = 54.5k, teniendo en cuenta que los parámetros característicos del transistor JFET canal n son IDSS=10mA y Vp=-3.8V, y que en el circuito VDD=15V, RS=1k y R3=3.3M. V DD
R1
RD
R3 A
R2
RS
Se desea polarizar el transistor JFET de la figura, cuyas curvas características se muestran en la figura F1, en el punto de trabajo V GS=-1.5V, VDS=6V. Hallar el valor de R D, RS, RG1 y RG2, sabiendo que RG=RG1 // RG2 = 90k y que VG=1.5V. Trazar la recta de carga estática, indicando el valor de su pendiente. V DD = 1 5 V
R G1
RD
VGS = -2.0V
VGS = -1.5V
VGS = -1.0V
R G2
RS
VGS = -0.5V
figura F1
En el circuito de la figura se emplea un transistor JFET de canal n cuyos parámetros característicos son Vp=-5V e IDSS=12mA. Hallar el valor de I D y VDS teniendo en cuenta que V DD=18V, RS=2k, RD=2k, RG1=400k, RG2=90k.
Si se cambia la resistencia R G2, ¿cuál debe ser el nuevo valor de R G2 si ID=8mA?
Con los mismos valores dados para al apartado , pero cambiando el valor de VDD, hallar el nuevo valor que debe tomar para que ID=8mA. ¿Cuál es el nuevo valor de VDS?
El circuito del apartado se emplea para obtener una corriente de drenador
ID=2.5mA y una tensión drenador-fuente VDS=17.5V con una fuente de tensión VDD=30V. Hallar el valor de RG1, RG2 y RD teniendo en cuenta que RG=RG1 // RG2 100k y RS=1.2k. V DD
R G1
RD
R G2
RS
VDD=82.116V. VDS=50.116V
En el circuito de la figura, V DD=15V, VSS=-9V, RG=100k, RD=3.3k y RS=6.8k, y los parámetros característicos del transistor JFET de canal n, son I DSS=5mA y Vp=-6V. Hallar: Valor de V0 si VGG=0V. Valor de V0 si VGG=5V. Valor de VGG para que V0=0V. V DD
RD
RG
VO V GG
RS
V SS
El transistor de la figura es un JFET canal p con IDSS=1mA y Vp=1V. Determinar el valor de la tensión de drenador VD, teniendo en cuenta que VDD=-12V, RD=47k, R S1=5.6K, RS2=3.3k y RG=1M. V DD
RD
RG
R S1
R S2
Demostrar que para que los transistores JFET canal n Q1 y Q2 estén trabajando en modo activo, es necesario que se cumpla que:
Asumiendo que los parámetros característicos de los transistores JFET canal n Q1 y Q2 son idénticos, y que VDD=10V, |Vp|=2V e IDSS=4mA, hallar el valor de RS y RD de forma que: VDG1=|Vp| y VDG2=2|Vp|. VDG1=1.5|Vp| y VDG2=1.5|Vp|. V DD
RD
Q2
Q1
RS
