UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRÓNICA
I.
INTRODUCCIÓN: En esta parte hablaremos un poco del tema a tratar para que observe lo que se desarrollara más adelante de manera más detallada. La terminología relativa a base común se desprende del hecho de que l a base es común a los lados de entrada y salida de la configuración. Además, la base es usualmente la terminal más cercana o en un potencial de tierra como se muestra en la figura 1 con transistores pnp y npn. Esta figura indica además los sentidos de la corriente convencional (Flujo de Huecos).
Figura 1.- Configuración de base común
De la figura 1, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. También se nota que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir, compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada configuración y la dirección de IC con la polaridad de VCC. Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común, como se muestra en la figura 2, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB). Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida está polarizada muy inversamente, (VCB > 10V). El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE). Esto es, corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una corriente básicamente constante sin importar el valor del voltaje inverso. Esto quiere decir, serán líneas rectas a lo largo del Eje que p artirá de un valor aproximado a –0,6V. Para un transistor de Silicio. S ilicio.
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Figura 2.- Curva característica de entrada
II.
OBJETIVOS:
III.
Conocer cómo trabaja el transistor en configuración base común. Las relaciones entre la base con el emisor y el colector. Observar como son distintos los parámetros de entrada y de salida. Saber las diferencias entre sus tres regiones operativas. Averiguar cómo hallar la ganancia para este tipo de configuración. Aprender las distintas aplicaciones que posee esta configuración.
MARCO TEÓRICO: La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, da como resultado que la ganancia aproximada es: =
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Figura 3.- Base común
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Configuración base común La base es común a la entrada (emisor – base) y a la salida (colector – base)
Figura 4.- Configuración base común (PNP Y NPN)
Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de características: Parámetros de Entrada Se relaciona la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB). Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE= 0.7V
Figura 5.- Parámetros de entrada
Parámetros de Salida Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE).
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Figura 6.- Parámetros de salida
Regiones Operativas Las regiones operativas se dividen en tres como se ve en la siguiente figura.
Figura 7.- Ubicación de las regiones operativas Ahora pasaremos a explicar cada una de ellas. Región Activa La unión base-colector se polariza inversamente, mientras que la unión base-emisor se polariza directamente. Esta es la región más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como amplificador. La corriente de emisor, que es la corriente de entrada, está formada por la suma de la corriente de base y la de colector:
IE = IC + IB En una primera aproximación se puede decir que: IC ≈ IE
Región de Corte
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Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un transistor tienen polarización inversa. Un transistor esta en corte cuando:
(IC = IE = 0A) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0A (IB =0A)
Región de Saturación Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un transistor tienen polarización directa. Un transistor está saturado cuando:
(IC = IE = IMáxima) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es 0V.
Figura 8.- Región activa, de corte y de saturación
Ganancia de Corriente
(alfa)
La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la de entrada (IE)
=
La ganancia de corriente en un transistor es inferior a la unidad, debido a que la corriente de emisor siempre es algo mayor que la corriente del colector. Por lo tanto, siempre es menor que 1, en valores entre 0.90 y 0.998.
Ganancia de Voltaje Según se ha visto el transistor de BC no puede producir una verdadera ganancia de corriente, pero si proporciona ganancias de voltaje
=
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Un transistor típico suele tener una resistencia de entrada de 300 Ω y una resistencia de salida de 100 kΩ.
IV.
APLICATIVOS: 1. Simular el siguiente circuito:
2. Simular el siguiente circuito:
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3. Simular el siguiente circuito:
V.
CONCLUSIONES:
VI.
OBSERVACIONES:
VII.
BIBLIOGRAFÍA Y ENLACES:
http://www.emagister.com/uploads_user_home/Comunidad_Emagi ster_5896_transistor_2.pdf https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el2207/wmarinCH03.pdf http://www.academia.edu/3769942/3_3._Configuraci%C3%B3n_en _Base_Com%C3%BAn
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